En ce moment j'essaie de faire le sujet de physique I tombé en PSI aux CCP cette année que voici : sujet physique I CCP PSI 2009
C'est la question A.12 qui me perturbe...à savoir lorsque l'on dope le silicium (qui est un atome qui possède 4 électrons de valence) avec du phosphore (qui en possède 5), augmente-t-on la densité d'électrons ou de trous ?
A priori on augmente la densité d'électrons, vu que les électrons qui "sont en trop" ne participent pas à la consitution du cristal donc peuvent être considérés comme libres, non ?
Mais vu comment est posée la question, il semblerait qu'il faille répondre l'augmentation de la densité de trous, ce qui nous conduirait à la relation
Donc voilà, je remercie d'avance ceux qui voudront bien se pencher sur la question ^^'.